Perché Wide BandGap (WBG) e soprattutto perché GaN? Il nuovo libro di AspenCore Media, la “Guida AspenCore al nitruro di gallio: una nuova era per l’elettronica di potenza“, risponde a queste domande e ad altre ancora.
I semiconduttori di potenza WBG in carburo di silicio uniti alla tecnologia GaN offrono vantaggi di progettazione che consentono prestazioni applicative precedentemente inimmaginabili: bassa corrente di dispersione, perdite di potenza notevolmente ridotte, maggiore densità di potenza, funzionamento a frequenza più elevata e la capacità di tollerare temperature di una dimensione del dispositivo più piccola di quella che si potrebbe ottenere per un equivalente solo in silicio.
Altre caratteristiche, di non minore importanza, sono la robustezza e la maggiore affidabilità, che si traducono in una migliore aspettativa di vita complessiva del dispositivo e in una maggiore stabilità operativa.
Data center, veicoli elettrici e smart grid – sempre più dipendenti dall’energia – hanno come fattore strategico di sviluppo l’efficienza energetica. I dispositivi basati su GaN, grazie alle loro caratteristiche, sono permettono di risolvere questo aspetto facilitando l’espansione delle energie rinnovabili.
Dal punto di vista della gestione dell’alimentazione, tutti i sistemi di alimentazione richiedono un elevato livello di integrazione per ottenere la portabilità richiesta. Il minor consumo energetico massimizza il tempo di funzionamento del dispositivo senza dover ricaricare o sostituire le batterie.
Il GaN deve operare in modo sicuro ed efficiente in un ecosistema ad alta frequenza per svolgere al meglio il suo ruolo nella ricarica rapida, nella conversione di potenza e nello stoccaggio dell’energia. L’integrazione di GaN FET, GaN analogico e logica GaN daranno vita a un vero circuito integrato di potenza GaN.
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