GaN-on-SiC per antenne satellitari ad orientamento del fascio

Traduzione e rielaborazione dall’articolo appartso su EENews, consultabile qui

Il progetto Kasseopia sta sviluppando un GaN MMIC in banda Ka ad alta efficienza utilizzando substrati GaN-on-SiC.

Un progetto europeo sta costruendo un’antenna ricevitore ad alta efficienza per sistemi spaziali utilizzando nitruro di gallio su un substrato di carburo di silicio.

Tale progetto è frutto del lavoro sinergico dell’Università di Bristol nel Regno Unito, del Ferdinand-Braun-Institut (FBH) in Germania e di SweGaN in Svezia.

Il loro scopo è quello di sviluppare un ricevitore MMIC (circuito integrato monolitico a microonde) in banda Ka. Il ricevitore MMIC sfrutta i materiali epitassiali QuanFINE GaN-on-SiC di SweGaN per contribuire ad aumentare l’efficienza del dispositivo per le antenne ad orientamento del fascio per comunicazioni satellitari, stazioni 5G e applicazioni radar.

“Siamo entusiasti di collaborare con SweGaN e FBH per comprendere, ottimizzare e sfruttare la potenzialità del GaN-on-SiC senza buffer nella gestione termica per applicazioni a transistor e per applicare la nostra esperienza unica nella valutazione dello scambio termico nei dispositivi a semiconduttore”, ha affermato il Professore Martin Kuball, della cattedra di tecnologie emergenti della Royal Academy of Engineering presso l’Università di Bristol. La ricerca dell’Università di Bristol è, per l’appunto, specializzata in misure termiche dirette su transistor GaN attivi utilizzando la termografia micro-Raman nonché nella rappresentazione e modellizzazione di dispositivi avanzati.

Il gruppo FBH, che dispone di uno dei laboratori più attrezzati in Europa, è alla guida del progetto: obiettivo principale è sicuramente sviluppare un MMIC in banda Ka utilizzando nuovi concetti di epitassia, trattamento e circuiti orientati verso dispositivi GaN e AlN ad alta efficienza. FBH sta utilizzando la sua tecnologia Iridium sputter-gate che riduce le perdite dinamiche (gate lagging) aumentando della metà l’affidabilità del dispositivo, che è un fattore particolarmente importante per i dispositivi space-borne.

SweGaN sta contribuendo con la sua soluzione senza buffer per GaN-on-SiC epiwafer, QuanFINE, e sta apportando la sua preziosa esperienza nella progettazione e nell’ottimizzazione dello strato epitassiale. “Sfruttando la nostra esperienza combinata, il progetto di sviluppo strategico migliorerà ulteriormente la strategia di mercato a lungo termine e l’innovazione dei prodotti di SweGaN e fornirà vantaggi significativi alla nostra base di clienti globale“, ha affermato il dott. Chen.

SweGaN fornirà anche substrati SiC semi-isolanti sviluppati internamente per la valutazione. Lo specialista di epiwafer attualmente fornisce materiale epitassiale ai principali produttori di componenti e dispositivi che operano nel campo delle comunicazioni satellitari per applicazioni di telecomunicazioni e di difesa, oltre a fornire elettronica di potenza per veicoli elettrici, inverter solari e altro ancora.

Redazione Fare Elettronica