MOSFET al SiC da 1200 V di terza generazione per aumentare l’efficienza di conversione della potenza in ambito industriale

I nuovi MOSFET discreti combinano un valore superiore del parametro RDS (on) x QGD con le comprovate innovazioni di Toshiba in termini di affidabilità e stabilità

Düsseldorf, Germania, 6 settembre 2022 — Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha lanciato cinque MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V che sfruttano la tecnologia SiC di terza generazione dell’azienda per aumentare l’efficienza energetica nelle applicazioni industriali ad alta tensione. I dispositivi sono utilizzati in apparecchiature quali le stazioni di ricarica per veicoli elettrici, gli inverter fotovoltaici, gli alimentatori industriali, i gruppi di continuità (UPS) e i convertitori DC/DC bidirezionali o a semi-ponte.

La più recente tecnologia al SiC di Toshiba migliora il valore del prodotto fra la resistenza di on e la carica al gate-drain (RDS (on) x QGD) di oltre l’80%, e incrementa di conseguenza le prestazioni di conduzione e di commutazione nelle topologie di conversione di potenza.

Inoltre, i nuovi dispositivi includono l’innovativo diodo embedded a barriera Schottky (SBD), già collaudato nella generazione precedente. L’SBD incorporato migliora l’affidabilità dei MOSFET SiC ovviando agli effetti delle resistenze parassite interne per mantenere un valore stabile di RDS(on) del dispositivo.

Inoltre, i prodotti presentano un ampio intervallo di valori massimi di tensione al gate-source, compreso fra -10 V e 25 V, e ciò migliora la flessibilità operativa in diversi progetti circuitali e condizioni applicative. L’intervallo di tensioni di gate di soglia (VGS (th)) che va da 3,0V a 5,0V, garantisce prestazioni di commutazione prevedibili, con una deriva minima, e consente di semplificare la progettazione del gate-driver.

I MOSFET SiC di terza generazione attualmente disponibili comprendono il TW015N120C, il TW030N120C, il TW045N120C, il TW060N120C e il TW140N120C. I dispositivi sono caratterizzati da valori tipici di R DS (on) compresi fra 15mΩ e 140mΩ (con V GS = 18V) e valori nominali di corrente di drain in continua da 20A a 100A (a TC = 25°C).

Tutti i dispositivi sono in produzione e possono essere ordinati presso i distributori, nel package standard di potenza TO-247.

Redazione Fare Elettronica