La nuova generazione di memorie flash 3D aggiunge ulteriori livelli, aumenta la capacità e la banda e offre una nuova flessibilità di progettazione. La Kioxia ha annunciato di aver sviluppato con successo una memoria BiCS FLASH tridimensionale (3D) di quinta generazione, con una struttura a 112 strati impilati verticalmente. Il nuovo dispositivo ha una capacità di 512 gigabit (64 gigabyte) con tecnologia a 3 bit per cella (cella a triplo livello, TLC). Il nuovo dispositivo punta a soddisfare la crescente domanda di bit in un’ampia varietà di applicazioni, che includono dispositivi mobili tradizionali, unità SSD, applicazioni per reti 5G, intelligenza artificiale e veicoli a guida autonoma.
In futuro, Kioxia applicherà la nuova tecnologia di processo di quinta generazione a dispositivi di capacità superiore, come i dispositivi TLC da 1 terabit (128 gigabyte) e a quattro bit per cella (cella quadrupla, QLC) da 1,33 terabit. L’innovativo processo d’impilamento a 112 strati di Kioxia è combinato con tecnologie circuitali e di processo avanzate per aumentare la densità delle matrici di celle di circa il 20%, rispetto al processo d’impilamento a 96 strati. La nuova tecnologia riduce il costo per bit, consentendo di ottenere più capacità di memoria per wafer di silicio. Inoltre migliora la velocità del 50%, offre prestazioni di programmazione più elevate e una minore latenza in lettura. La quinta generazione di dispositivi BiCS FLASH è stata sviluppata in collaborazione con il partner tecnologico e di produzione Western Digital Corporation.
