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Massima efficienza con i nuovi MOSFET di potenza

Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha annunciato l’introduzione di una nuova serie di MOSFET di potenza a canale N, che promette prestazioni superiori e un’elevata efficienza energetica. Il primo prodotto della serie DTMOSVI a 600V è il TK055U60Z1, basato sul processo di ultima generazione di Toshiba e dotato di una struttura a super giunzione.

Il nuovo MOSFET è caratterizzato da una RDS(ON) di soli 55mΩ, che corrisponde a un miglioramento del 13% rispetto a dispositivi analoghi della consolidata serie DTMOSIV-H dell’azienda. Inoltre, il parametro RDS(ON) x Q GD, indicatore delle prestazioni del MOSFET, registra un miglioramento di circa il 52%. Questo innovativo componente trova applicazione in alimentatori a commutazione ad alta efficienza nei data center, convertitori di potenza per generatori fotovoltaici e gruppi di continuità.

Il TK055U60Z1 utilizza il popolare package TOLL con connessione Kelvin per il terminale di source. Ciò si traduce in un impatto minore sull’induttanza di source, riducendo l’oscillazione in commutazione e migliorando le prestazioni di commutazione a velocità di gate elevate. La forma utilizzata per i pin garantisce connessioni adeguate in saldatura, aumenta l’affidabilità del montaggio e agevola l’ispezione visiva.

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packaging mosfet TK055U60Z1

Il MOSFET ha una temperatura massima di canale (Tch) di 150°C e un valore tipico di RDS(ON) di 47mΩ, misurato a una tensione gate-source di 10V.
I valori tipici di carica di gate totale (Qg), carica di gate-drain (Qgd) e capacità di ingresso (Ciss) sono rispettivamente di 65nC, 15nC e 3680pF. Questi parametri consentono al TK055U60Z1 di commutare alla massima velocità possibile.

Per ulteriori informazioni sul MOSFET di potenza TK055U60Z1, visita la pagina ufficiale del prodotto.

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Redazione Fare Elettronica