Toshiba annuncia i nuovi MOSFET a canale N a 100 V per applicazioni automotive

Toshiba Electronics Europe GmbH ha annunciato i primi MOSFET di potenza a 100 V a canale N per applicazioni automotive, disponibili nel piccolo package SOP Advance (WF) a montaggio superficiale. Progettati specificamente per le moderne applicazioni di sistema a 48 V, questi dispositivi sono adatti all’uso in convertitori di spinta per generatori di avviamento integrati (ISG) e fari a LED, nonché azionamenti di motori, regolatori e interruttori di carico.
I dispositivi XPH4R10ANB e XPH6R30ANB migliorano l’efficienza dei sistemi automotive grazie alla loro bassa resistenza (RDS(ON)). Infatti, l’XPH4R10ANB offre una resistenza di soli 4,1 mΩ, riducendo significativamente le perdite di sistema. Entrambi i dispositivi sono alloggiati nel pacchetto SOP Advance(WF) testato in applicazioni automobilistiche a 48 V e consente l’uso dell’ispezione ottica automatica (AOI) per garantire la qualità dei giunti saldati.
Entrambi i dispositivi fanno parte della serie U-MOSVIII-H di Toshiba e offrono una tensione di scarico (VDSS) di 100 V e una temperatura massima di esercizio di 175ºC. L’XPH4R10ANB supporta una corrente di scarico continuo massima di 70 A e 210 A quando pulsato. Per l’XPH6R30ANB abbiamo rispettivamente 45 A e 135 A.
 

Maurizio Di Paolo Emilio